M3S 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - onsemi | Mouser
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
Rohm SCT2450KE
Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
1200-V-EliteSiC-MOSFETs (Siliziumkarbid) - onsemi | Mouser
Mehr E-Auto-Reichweite: Antriebsstrang mit SiC-Halbleitern verbessert
Alles über Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-FETs | Altium
Siliciumcarbid – Wikipedia
Präziser Blick ins Innerste von Transistoren hilft Energie sparen | FAU Erlangen-Nürnberg
1 Stück g3r75mt12k Siliziumkarbid-Mosfet 41 a1200v bis-247-4 - AliExpress
G3R20MT17K Genesic Semiconductor, Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal | Farnell DE
Siliziumkarbid-MOSFETs - Micro Commercial Co | DigiKey
650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation | DigiKey
onsemi NVH NVH4L160N120SC1 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 17,3 A, 4-Pin TO-247-4
Präziser Einblick ins Innerste von Siliziumkarbid-MOSFETs
650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs - STMicro | Mouser
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
Automobilstandard-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs - STMicro | Mouser
Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor
Neu erschienen: Verena Grifone Fuchs – Siliziumkarbid-Transistoren für Audioverstärker der Klasse-D – BibBlog – Weblog der Universität Siegen
650-V- und 1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation - Toshiba | Mouser
