Nexperia steigt in den SiC-MOSFET-Markt ein
Infineon stellt 650-V-SiC-MOSFETs im D²PAK-Gehäuse vor
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STMicroelectronics SCT055HU65G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A HU3PAK | RS
P-Kanal-MOSFET im LFPAK-Gehäuse - Nexperia | DigiKey
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SiC-MOSFETs C3M™ im TOLL-Gehäuse - Wolfspeed | Mouser
Ineltek » Blog Archiv Nuvoton platzsparende MOSFETs im CSP Gehäuse • Ineltek News
3 Stück STB60NF06T4 | POWER MOSFET N-CHANNEL STripFETII | 60V | 0.016 Ohm | 60A | 110W | STMicroelectronics | D2PAK / TO-263 Gehäuse : Amazon.de: Gewerbe, Industrie & Wissenschaft
CoolSiC 62 mm-Modul eröffnet neue Anwendungen für Siliziumkarbid | Elektronik News
Leistungs-MOSFET – Wikipedia
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Leistungs-MOSFET: Neues Gehäuse für besseren Schutz - Automotive - Elektroniknet
Infineons OptiMOS™ neu bei Rutronik: Leistungs-MOSFETs im Source-Down Gehäuse-Upgrade
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Alles über MOSFETs | RS Components
ROHM bietet erste AC/DC-Wandler-ICs im Surface-Mount-Gehäuse mit integriertem 1700-V-SiC-MOSFET | ROHM Semiconductor - ROHM Co., Ltd.
5 Stück Power MOSFET-Transistoren IRFP064N, IRFP150N, IRFP240N, IRFP260N: TO-247-Gehäuse Für Audio-Verstärker Und Motorsteuerungsanwendungen - Temu Germany
CoolSiC-MOSFETs jetzt auch im 650-V-TOLL-Portfolio
International Rectifier – Strahlungsfeste Power MOSFET Thru-Hole (Niedrig-Ohm Variante im TO-257AA Gehäuse), 60V, 30A, P-Channel, R 9 Superjunction Technologie (04/2022)
