![Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1648813077-240-wor4zpsvv.jpg.1280x0.webp)
Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1648812838-240-worqkvudy.jpg.1280x0.webp)
Vertikale GaN-Transistoren: Odyssey Semiconductor erreicht zwei Meilensteine - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![GaN-Treiber / Universität Reutlingen: Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit - Leistungshalbleiter - Elektroniknet GaN-Treiber / Universität Reutlingen: Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1548057090-240-worl7ooum.jpg.1280x0.webp)
GaN-Treiber / Universität Reutlingen: Drei Stufen geben GaN-Transistoren Sicherheit - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
![Thermische Charakterisierung von AlGaN/GaN-HEMTs auf Si- und n-SiC-Substraten | Ferdinand-Braun-Institut Thermische Charakterisierung von AlGaN/GaN-HEMTs auf Si- und n-SiC-Substraten | Ferdinand-Braun-Institut](https://www.fbh-berlin.de/fileadmin/_processed_/9/4/csm_Fig.2_device-operation_linear_2356c952e6.jpg)
Thermische Charakterisierung von AlGaN/GaN-HEMTs auf Si- und n-SiC-Substraten | Ferdinand-Braun-Institut
![GaN Systems Launches New Higher Performance, Low-Cost Transistor for Consumer, Industrial, and Data Center Applications | GaN Systems GaN Systems Launches New Higher Performance, Low-Cost Transistor for Consumer, Industrial, and Data Center Applications | GaN Systems](https://gansystems.com/wp-content/uploads/2022/06/GS-065-018-2-L-launch-v3-1030x539.jpg)
GaN Systems Launches New Higher Performance, Low-Cost Transistor for Consumer, Industrial, and Data Center Applications | GaN Systems
![Galliumnitrid / MIT: Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich - Leistungshalbleiter - Elektroniknet Galliumnitrid / MIT: Fin-Gates machen vertikalen GaN-Transistor möglich - Leistungshalbleiter - Elektroniknet](https://cdn4.weka-fachmedien.de/thumbs/media_uploads/images/1515413390-240-wortgsldc.jpg.1280x0.webp)